SI7818DN-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Anschlüsse, Verbindungen
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI7818DN-T1-GE3
| Artikelnummer: | SI7818DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $1.763 |
| 100+ | $1.393 |
| 500+ | $1.0803 |
| 1000+ | $0.8528 |
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI7818DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7818DN-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 135 mOhm @ 3.4A, 10V Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Andere Namen SI7818DN-T1-GE3CT Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 33 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 150V detaillierte Beschreibung N-Channel 150V 2.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A (Ta) SI7818DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SI7818DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf -
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